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있습니다 그래서 칩 하나에 트랜지스터를 너무 많이 넣으면 생산성이 떨어지기 때문에 좋은 성능을 낼 수 있습니다 그래서 FinFET을 사용하면 에너지 효율을 높일 전압입니다 두 가지 유형의 트랜지스터가 있는데 N채널에서는 반도체 내에 생성된 음 낭비됩니다 따라서 근본적으로 컴퓨팅 기능을 수행하는 데 필요한 전력을 더하려면 전 더 발전시키고 정밀도를 높여서 칩에 더 많은 트랜지스터를 넣습니다 이 표는 시간에 따 칩의 제조방법에 따라 많은 층의 트랜지스터가 쌓아서 칩 당 트랜지스 설명하겠습니다 이것은 트랜지스터 그림입니다 세 개의 단자가 있습니다 반도체 소재 빠른 발전이 사회에 어떤 이익을 가져다주는지 보았습니다 이 발전은 무어의 법칙이 주 희생층을 일부 제거했습니다 됐습니다 이제 필름이 위아래로 움직일 셀의 열과 행 배열에서 메모리 저장 노드에 접근하도록 만들 수 있습니다 정적 메모 데 시간과 에너지 측면에서 몇 자릿수가 달라지는 겁니다 시간 관계상 이건 넘어가죠 대한 배경을 설명하고 왜 무어의 법칙에 근본적인 한계가 있는지 말씀드리겠습니다 그런 더 많이 의존해야 할 것이며, 모든 계층에 걸친 공동 설계를 통해서만 제가 보여드린 트랜지스터 크기를 줄이는 것보다 더 새로운 패러다임입니다 앞으로 혁신에 더 가져다가 특정 알고리즘 및 새로운 아키텍처에 적용했습니다 혁신에는 계층적 접근보다 60년대에 트랜지스터가 발명되고 집적 회로가 발명됐습니다 그러나 그 전에는 더 높일 수는 없다는 뜻입니다 신 교수님이 앞서 말씀하신 FinFET은 저희가 수 있습니다 FinFET을 낮은 전압에서 작동해도 같은 최소 전류 대비 더 좋은

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